Дозировкой примесей в транзисторных полупроводниковых областях достигают того, чтобы э. область кристалла имела наивысшую конц. своих носителей зарядов, т.к. э. служит источником носителей (аналогично катоду электронной лампы). Меньшую конц. имеет к. область, которая получает, так сказать, "чужие" носители (подобно аноду лампы). Область б. имеет самую низкую конц. своих основных носителей; она управляет движением "чужих" носителей (аналогично сетке электронной лампы).
Транзисторы
Страница: 1
Сообщений 1 страница 3 из 3
Поделиться22010-05-15 21:26
По схеме с ОЭ (bfp450) удавалось увидеть частоту 8,5 ГГц при управлении (варикапы) в базе, перестройка не более 320 МГц с двумя варикапами балочно выводными с нач. емкостью 4пФ и управляющим напряжением 1...9 В. Выходная мощность около 3...5 мВт.
По схеме с ОЭ (bfp450), но управлением в эмитере, видел 11ГГц, настройка и перестройка в процессе.
При необходимости ставить резистивный аттенюатор между ГУНом и усилителем схема П-образная лучше согласовывалась и соответствовала истине нежели Т-образная.
В качестве усилителя приминен полевик FSX017LG включенный по схеме с ОИ с автосмещением. На истоке -.5 В, на стоке 4 В, ток стока около 33 мА. Усиление было порядка 6-7 дБ, при большем усилении вероятность возбуда огромна. Типичное значение по даташиту 8дБ на 12 ГГц.
Поделиться32010-06-09 15:16
При дюроидном порядка 0,3 пФ перестройка на ЧВ (варикап BBY53 в корпусе TSLP-2-1) давал перестройку порядка 30 МГц. При керам. СВЧ конденсаторе 47 пФ перестройка была 25 МГц. При большом дюроидном (d=0,25) порядка 0,5 пФ перестройка на 1-м ЧВ была 90 МГц. Лучшая - 200 МГц на 2-х ЧВ и площадка дюроидная 1 пФ на d=0,125. Заменив варикапы на балочные получил галиматью - малая перестройка и частота ушла вверх 
Основное правило хвоста у ГУНа
Увеличивая емкость на хвосте получаем большую перестройку и большую неравномерность. Но это справедливо не всегда.
Страница: 1